DMC4015SSD-13 MOSFET Comp Pair Enh FET 40Vdss 20Vgss
♠ Mô tả sản phẩm
| Nhà sản xuất: | Diodes Incorporated |
| Danh mục sản phẩm: | MOSFET |
| Công nghệ: | Si |
| Kiểu lắp đặt: | SMD/SMT |
| Gói / Vỏ: | SOIC-8 |
| Cực tính của bóng bán dẫn: | Kênh N, Kênh P |
| Số kênh: | 2 kênh |
| Vds - Điện áp đánh thủng nguồn-cống: | 40V |
| Id - Dòng xả liên tục: | 12,2A, 8,8A |
| Rds On - Điện trở nguồn xả: | 15 mOhm, 29 mOhm |
| Vgs - Điện áp cổng-nguồn: | - 20V, + 20V |
| Vgs th - Điện áp ngưỡng cổng-nguồn: | 1 năm |
| Qg - Điện tích cổng: | 40 nC, 34 nC |
| Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: | - 55 độ C |
| Nhiệt độ hoạt động tối đa: | + 150 độ C |
| Pd - Tản điện: | 1,7W |
| Chế độ kênh: | Sự nâng cao |
| Tên thương mại: | Điện năng |
| Loạt: | DMC4015 |
| Bao bì: | Cuộn dây |
| Bao bì: | Cắt băng dính |
| Bao bì: | Chuột Cuộn |
| Thương hiệu: | Diodes Incorporated |
| Cấu hình: | Hai |
| Thời gian mùa thu: | 6,3ns, 30ns |
| Loại sản phẩm: | MOSFET |
| Thời gian tăng: | 5,7ns, 2,8ns |
| Số lượng đóng gói tại nhà máy: | 2500 |
| Tiểu thể loại: | MOSFET |
| Loại bóng bán dẫn: | 1 kênh N, 1 kênh P |
| Thời gian trễ tắt điển hình: | 23 giây, 83 giây |
| Thời gian trễ bật điển hình: | 5,1ns, 3,9ns |
| Đơn vị Trọng lượng: | 0,026455 oz |
DMC4015SSD-13
- Điện dung đầu vào thấp
- Điện trở thấp
- Tốc độ chuyển đổi nhanh
- Hoàn toàn không chứa chì và tuân thủ đầy đủ RoHS (Ghi chú 1 và 2)
- Không có Halogen và Antimon. Thiết bị “Xanh” (Ghi chú 3)
- Bộ chuyển đổi DC-DC
- Chức năng quản lý nguồn điện
- Đèn nền
MOSFET thế hệ mới này được thiết kế để giảm thiểu điện trở trạng thái bật (RDS(ON)) nhưng vẫn duy trì hiệu suất chuyển mạch vượt trội, khiến nó trở nên lý tưởng cho các ứng dụng quản lý năng lượng hiệu suất cao.
