FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ Mô tả sản phẩm
| Thuộc tính sản phẩm | Giá trị của thuộc tính |
| Nhà sản xuất: | onsemi |
| Danh mục sản phẩm: | MOSFET |
| RoHS: | Chi tiết |
| Công nghệ: | Si |
| Phong cách của núi: | SMD/SMT |
| Gói hàng / Gói hàng: | SSOT-3 |
| Phân cực của bóng bán dẫn: | Kênh P |
| Số kênh đào: | 1 Kênh |
| Vds - Căng thẳng gián đoạn trong tình trạng mệt mỏi và nóng bức: | 30 vôn |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2 Một |
| Rds On - Điện trở cho thiết bị và nguồn nước: | 63 mOhm |
| VSS - Căng thẳng trong puerta và fuente: | - 20V, + 20V |
| Vgs th - Căng bóng trong puerta và fuente: | 3V |
| Qg - Cửa ra vào: | 9 giờ |
| Nhiệt độ trabajo tối thiểu: | - 55 độ C |
| Nhiệt độ trabajo máxima: | + 150 độ C |
| Dp - Khả năng tản nhiệt : | 500 mW |
| Kênh Modo: | Sự nâng cao |
| Tên thương mại: | PowerTrench |
| Đóng gói: | Cuộn dây |
| Đóng gói: | Cắt băng dính |
| Đóng gói: | Chuột Cuộn |
| Nhãn hiệu: | onsemi / Fairchild |
| Cấu hình: | Đơn |
| Thời gian cai nghiện: | 13 giây |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 5 giây |
| Chiều cao: | 1,12mm |
| Kinh độ: | 2,9mm |
| Sản phẩm: | MOSFET Tín hiệu nhỏ |
| Loại sản phẩm: | MOSFET |
| Thời gian chờ: | 13 giây |
| Bộ truyện: | FDN360P |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| Phân loại phụ: | MOSFET |
| Loại bóng bán dẫn: | 1 Kênh P |
| Kiểu: | MOSFET |
| Thời gian chậm lại của việc bổ sung típico: | 11 giây |
| Một chút thời gian để demora de encendido: | 6 giây |
| Ancho: | 1,4mm |
| Biệt danh của các vị thánh số: | FDN360P_NL |
| Peso của đơn vị: | 0,001058 oz |
♠ Kênh P đơn, PowerTrenchÒ MOSFET
MOSFET mức logic kênh P này được sản xuất bằng quy trình Power Trench tiên tiến của ON Semiconductor được thiết kế riêng để giảm thiểu điện trở trạng thái bật nhưng vẫn duy trì điện tích cổng thấp để có hiệu suất chuyển mạch vượt trội.
Các thiết bị này rất phù hợp cho các ứng dụng điện áp thấp và chạy bằng pin, yêu cầu tổn thất điện năng trực tiếp thấp và chuyển mạch nhanh.
· –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –10 V RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4,5 V
· Điện tích cổng thấp (trung bình 6,2 nC) · Công nghệ rãnh hiệu suất cao cho RDS(ON) cực thấp.
· Phiên bản công suất cao của gói SOT-23 tiêu chuẩn công nghiệp. Chân cắm giống hệt với SOT-23 với khả năng xử lý công suất cao hơn 30%.
· Các thiết bị này không chứa chì và tuân thủ RoHS
