MOSFET FDN360P SSOT-3 P-CH -30V
♠ Mô tả sản phẩm
| Phân bổ sản phẩm | Valor de atributo |
| chế tạo: | bán thân |
| Phân loại sản phẩm: | MOSFET |
| RoHS: | chi tiết |
| Công nghệ: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
| Phân cực của bóng bán dẫn: | Kênh P |
| Número de kênh: | 1 kênh |
| Vds - Căng thẳng phá vỡ entre drenaje y fuente: | 30 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 63 mOhms |
| VGS - Căng thẳng entre puerta y fuente: | - 20 V, + 20 V |
| VGS th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 3 V |
| Qg - Carga de puerta: | 9 nC |
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55 độ C |
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150C |
| Dp - Phân tán công suất : | 500 mW |
| Kênh Modo: | Sự nâng cao |
| Quảng cáo danh nghĩa: | Rãnh điện |
| Empaquetado: | cuộn |
| Empaquetado: | cắt băng |
| Empaquetado: | ChuộtReel |
| Thương hiệu: | onsemi / Fairchild |
| Cấu hình: | Đơn |
| Tiempo de caida: | 13 giây |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 5 giây |
| thay thế: | 1,12mm |
| Kinh độ: | 2,9mm |
| sản phẩm: | MOSFET tín hiệu nhỏ |
| Mẹo sản xuất: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 13 giây |
| Sê-ri: | FDN360P |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| Tiểu thể loại: | MOSFET |
| Loại bóng bán dẫn: | 1 kênh P |
| Lời khuyên: | MOSFET |
| Thời gian làm chậm máy tính: | 11 giây |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 6 giây |
| neo: | 1,4mm |
| Bí danh de las piezas n.º: | FDN360P_NL |
| Peso de la unidad: | 0,001058 oz |
♠ Kênh P đơn, PowerTrenchÒ MOSFET
MOSFET mức logic kênh P này được sản xuất bằng quy trình Power Trench tiên tiến của ON Semiconductor, được thiết kế đặc biệt để giảm thiểu điện trở ở trạng thái bật và vẫn duy trì mức sạc cổng thấp để có hiệu suất chuyển mạch vượt trội.
Các thiết bị này rất phù hợp cho các ứng dụng chạy bằng pin và điện áp thấp, nơi yêu cầu tổn thất điện năng trên dây thấp và chuyển mạch nhanh.
· –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –10 V RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4,5 V
· Phí cổng thấp (điển hình là 6,2 nC) · Công nghệ rãnh hiệu suất cao cho RDS(ON) cực thấp .
· Phiên bản công suất cao của gói SOT-23 tiêu chuẩn công nghiệp.Pin-out giống hệt với SOT-23 với khả năng xử lý năng lượng cao hơn 30%.
· Các thiết bị này không chứa Pb và tuân thủ RoHS
