TPS51200QDRCRQ1 IC chuyên dụng quản lý năng lượng mới và nguyên bản
♠ Mô tả sản phẩm
| Thuộc tính sản phẩm | Giá trị thuộc tính |
| Nhà chế tạo: | Dụng cụ Texas |
| Danh mục sản phẩm: | Quản lý nguồn điện chuyên dụng - PMIC |
| RoHS: | Chi tiết |
| Loạt: | TPS51200-Q1 |
| Kiểu: | ô tô |
| Phong cách lắp đặt: | SMD/SMT |
| Gói / Trường hợp: | VSON-10 |
| Sản lượng hiện tại: | 600 mã |
| Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: | - 40 độ C |
| Nhiệt độ hoạt động tối đa: | + 125C |
| Trình độ chuyên môn: | AEC-Q100 |
| Bao bì: | cuộn |
| Bao bì: | cắt băng |
| Bao bì: | ChuộtReel |
| Thương hiệu: | Dụng cụ Texas |
| Nhạy cảm với độ ẩm: | Đúng |
| Nguồn cung cấp hiện tại: | 700 uA |
| Pd - Công suất tiêu tán: | 0,79 W |
| Loại sản phẩm: | Quản lý nguồn điện chuyên dụng - PMIC |
| Gói nhà máy Số lượng: | 3000 |
| tiểu thể loại: | PMIC - IC quản lý nguồn |
| Đơn vị trọng lượng: | 0,001386 oz |
♠TPS51200-Q1 Bộ điều chỉnh kết thúc DDR nguồn và chìm
Thiết bị TPS51200-Q1 là bộ điều chỉnh đầu cuối tốc độ dữ liệu kép (DDR) của bộ chìm và nguồn được thiết kế đặc biệt cho các hệ thống có điện áp đầu vào thấp, chi phí thấp, tiếng ồn thấp trong đó không gian là yếu tố quan trọng cần cân nhắc.Thiết bị TPS51200-Q1 duy trì phản hồi tức thời nhanh và chỉ yêu cầu điện dung đầu ra tối thiểu là 20 μF.Thiết bị TPS51200-Q1 hỗ trợ chức năng cảm biến từ xa và tất cả các yêu cầu năng lượng đối với đầu cuối bus DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, Low Power DDR3 và DDR4 VTT.
Ngoài ra, thiết bị TPS51200-Q1 cung cấp tín hiệu PGOOD xả mở để theo dõi quy định đầu ra và tín hiệu EN có thể được sử dụng để xả VTT trong S3 (treo RAM) cho các ứng dụng DDR.
Thiết bị TPS51200-Q1 có sẵn trong gói VSON-10 tiết kiệm nhiệt và được xếp hạng
xanh và không chứa Pb.Thiết bị được chỉ định từ –40°C đến 125°C.
• Đủ điều kiện cho các ứng dụng ô tô
• Hướng dẫn kiểm tra AEC-Q100 với kết quả như sau:
– Nhiệt độ thiết bị Cấp 1: –40°C đến 125°C Nhiệt độ hoạt động xung quanh
– Thiết bị Phân loại HBM ESD Cấp 2
– Thiết bị CDM Cấp độ phân loại ESD C4B
• Điện áp đầu vào: Hỗ trợ đường ray 2,5-V và đường ray 3,3-V
• Dải điện áp VLDOIN: 1,1 V đến 3,5 V
• Bộ điều chỉnh kết thúc nguồn/sink bao gồm bồi thường sụt áp
• Yêu cầu Điện dung đầu ra tối thiểu là 20-μF (thường là 3 × 10-μF MLCC) cho các ứng dụng kết thúc bộ nhớ (DDR)
• PGOOD để giám sát quy định đầu ra
• Đầu vào EN
• Đầu vào REFIN cho phép theo dõi đầu vào linh hoạt Trực tiếp hoặc thông qua bộ chia điện trở
• Viễn thám (VOSNS)
• Tham chiếu đệm ±10-mA (REFOUT)
• Khởi động mềm, UVLO và OCL tích hợp
• Tắt máy do nhiệt
• Đáp ứng Thông số kỹ thuật DDR, DDR2 JEDEC;Hỗ trợ các ứng dụng DDR3, DDR3L, Low-Power DDR3 và DDR4 VTT
• Gói VSON-10 với tấm tản nhiệt tiếp xúc
• Bộ điều chỉnh kết thúc bộ nhớ cho DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR3 và DDR4 công suất thấp
• Máy tính xách tay, Máy tính để bàn, Máy chủ
• Viễn thông và Datacom, Trạm cơ sở GSM, LCDTV và PDP-TV, Máy photocopy và Máy in, Hộp giải mã tín hiệu số
