STD86N3LH5 MOSFET kênh N 30 V
♠ Mô tả sản phẩm
| Thuộc tính sản phẩm | Giá trị thuộc tính |
| Nhà chế tạo: | STMicro điện tử |
| Danh mục sản phẩm: | MOSFET |
| RoHS: | Chi tiết |
| Công nghệ: | Si |
| Phong cách lắp đặt: | SMD/SMT |
| Gói / Trường hợp: | TO-252-3 |
| Cực tính của bóng bán dẫn: | kênh N |
| Số kênh: | 1 kênh |
| Vds - Điện áp sự cố nguồn xả: | 30 V |
| Id - Dòng xả liên tục: | 80 A |
| Rds Bật - Điện trở nguồn thoát nước: | 5 mOhm |
| Vgs - Điện áp cổng nguồn: | - 22 V, + 22 V |
| Vgs th - Điện áp ngưỡng cổng nguồn: | 1 V |
| Qg - Phí vào cổng: | 14 nC |
| Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: | - 55 độ C |
| Nhiệt độ hoạt động tối đa: | + 175 độ C |
| Pd - Công suất tiêu tán: | 70 W |
| Chế độ kênh: | Sự nâng cao |
| Trình độ chuyên môn: | AEC-Q101 |
| Bao bì: | cuộn |
| Bao bì: | cắt băng |
| Bao bì: | ChuộtReel |
| Thương hiệu: | STMicro điện tử |
| Cấu hình: | Đơn |
| Giảm thời gian: | 10,8 giây |
| Chiều cao: | 2,4mm |
| Chiều dài: | 6,6mm |
| Loại sản phẩm: | MOSFET |
| Thời gian tăng: | 14 giây |
| Loạt: | STD86N3LH5 |
| Gói nhà máy Số lượng: | 2500 |
| tiểu thể loại: | MOSFET |
| Loại bóng bán dẫn: | 1 kênh N |
| Thời gian trễ tắt điển hình: | 23,6 giây |
| Thời gian trễ bật điển hình: | 6 giây |
| Chiều rộng: | 6,2mm |
| Đơn vị trọng lượng: | 330mg |
♠ Kênh N cấp ô tô 30 V, 0,0045 Ω typ, 80 A STripFET H5 Power MOSFET trong gói DPAK
Thiết bị này là MOSFET công suất kênh N được phát triển bằng công nghệ STripFET™ H5 của STMicroelectronics.Thiết bị này đã được tối ưu hóa để đạt được điện trở ở trạng thái rất thấp, góp phần tạo nên một foM thuộc loại tốt nhất trong loại thiết bị này.
• Được thiết kế cho các ứng dụng ô tô và đạt tiêu chuẩn AEC-Q101
• RDS (bật) điện trở thấp
• Độ chắc chắn tuyết lở cao
• Tổn thất điện năng ổ đĩa cổng thấp
• Chuyển đổi ứng dụng
