BSC072N08NS5 MOSFET N-Ch 80V 74A TDSON-8

Mô tả ngắn:

Nhà sản xuất: Công nghệ Infineon
Danh mục sản phẩm: Bóng bán dẫn – FET, MOSFET – Đơn
Bảng dữliệu:BSC072N08NS5
Mô tả: MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON
Trạng thái RoHS: Tuân thủ RoHS


Chi tiết sản phẩm

Đặc trưng

Thẻ sản phẩm

♠ Mô tả sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm Giá trị thuộc tính
Nhà chế tạo: Infineon
Danh mục sản phẩm: MOSFET
Công nghệ: Si
Phong cách lắp đặt: SMD/SMT
Gói / Trường hợp: TDSON-8
Cực tính của bóng bán dẫn: kênh N
Số kênh: 1 kênh
Vds - Điện áp sự cố nguồn xả: 80 V
Id - Dòng xả liên tục: 74 Một
Rds Bật - Điện trở nguồn thoát nước: 7,2 mOhms
Vgs - Điện áp cổng nguồn: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cổng nguồn: 2.2 V
Qg - Phí vào cổng: 24 nC
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 55 độ C
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150C
Pd - Công suất tiêu tán: 69 W
Chế độ kênh: Sự nâng cao
Tên thương mại: OptiMOS
Bao bì: cuộn
Bao bì: cắt băng
Bao bì: ChuộtReel
Thương hiệu: Công nghệ Infineon
Cấu hình: Đơn
Giảm thời gian: 5 giây
Độ dẫn chuyển tiếp - Tối thiểu: 31 S
Chiều cao: 1,27mm
Chiều dài: 5,9mm
Loại sản phẩm: MOSFET
Thời gian tăng: 7 ns
Loạt: OptiMOS 5
Gói nhà máy Số lượng: 5000
tiểu thể loại: MOSFET
Loại bóng bán dẫn: 1 kênh N
Thời gian trễ tắt điển hình: 19 giây
Thời gian trễ bật điển hình: 10 giây
Chiều rộng: 5,15mm
Phần # Bí danh: BSC072N08NS5 SP001232628
Đơn vị trọng lượng: 0,003683 oz

 


  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • •Được tối ưu hóa cho hiệu suất caoSMPS,egsync.rec.

    •Đã kiểm tra 100%

    •Khả năng chịu nhiệt vượt trội

    •Kênh chữ N

    •Đủ điều kiện theo JEDEC1)cho các ứng dụng mục tiêu

    •Mạ chì không chứa Pb;Tuân thủ RoHS

    •Không chứa halogen theo IEC61249-2-21

    Những sảm phẩm tương tự