CSD18563Q5A MOSFET 60V N-Channel MOSFET Nguồn NexFET
♠ Mô tả sản phẩm
| Thuộc tính sản phẩm | Giá trị thuộc tính |
| Nhà chế tạo: | Dụng cụ Texas |
| Danh mục sản phẩm: | MOSFET |
| RoHS: | Chi tiết |
| Công nghệ: | Si |
| Phong cách lắp đặt: | SMD/SMT |
| Gói / Trường hợp: | VSONP-8 |
| Cực tính của bóng bán dẫn: | kênh N |
| Số kênh: | 1 kênh |
| Vds - Điện áp sự cố nguồn xả: | 60 V |
| Id - Dòng xả liên tục: | 100 A |
| Rds Bật - Điện trở nguồn thoát nước: | 6,8 mOhm |
| Vgs - Điện áp cổng nguồn: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Điện áp ngưỡng cổng nguồn: | 1,7 V |
| Qg - Phí vào cổng: | 15 nC |
| Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: | - 55 độ C |
| Nhiệt độ hoạt động tối đa: | + 150C |
| Pd - Công suất tiêu tán: | 116 W |
| Chế độ kênh: | Sự nâng cao |
| Tên thương mại: | NexFET |
| Bao bì: | cuộn |
| Bao bì: | cắt băng |
| Bao bì: | ChuộtReel |
| Thương hiệu: | Dụng cụ Texas |
| Cấu hình: | Đơn |
| Giảm thời gian: | 1,7 ns |
| Chiều cao: | 1mm |
| Chiều dài: | 5,75mm |
| Sản phẩm: | MOSFET điện |
| Loại sản phẩm: | MOSFET |
| Thời gian tăng: | 6,3 ns |
| Loạt: | CSD18563Q5A |
| Gói nhà máy Số lượng: | 2500 |
| tiểu thể loại: | MOSFET |
| Loại bóng bán dẫn: | 1 MOSFET công suất kênh N |
| Kiểu: | MOSFE công suất NexFET kênh N 60 V |
| Thời gian trễ tắt điển hình: | 11,4 ns |
| Thời gian trễ bật điển hình: | 3,2 ns |
| Chiều rộng: | 4,9 mm |
| Đơn vị trọng lượng: | 0,003034 oz |
♠ CSD18563Q5A MOSFET điện NexFET™ kênh N 60 V
MOSFET nguồn NexFET™ 5,7 mΩ, 60 V SON 5 mm × 6 mm này được thiết kế để ghép nối với FET điều khiển CSD18537NQ5A và đóng vai trò là FET đồng bộ cho giải pháp chipset chuyển đổi buck công nghiệp hoàn chỉnh.
• Qg và Qgd cực thấp
• Đi-ốt thân mềm giúp giảm tiếng chuông
• Khả năng chịu nhiệt thấp
• Xếp hạng tuyết lở
• Mức logic
• Mạ đầu cuối không chứa Pb
• Tuân thủ RoHS
• Không chứa halogen
• Gói nhựa SƠN 5 mm × 6 mm
• FET mặt thấp cho bộ chuyển đổi Buck công nghiệp
• Bộ chỉnh lưu đồng bộ phía thứ cấp
• Điều khiển động cơ
