CSD88537ND MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
♠ Mô tả sản phẩm
| Thuộc tính sản phẩm | Giá trị thuộc tính |
| Nhà chế tạo: | Dụng cụ Texas |
| Danh mục sản phẩm: | MOSFET |
| RoHS: | Chi tiết |
| Công nghệ: | Si |
| Phong cách lắp đặt: | SMD/SMT |
| Gói / Trường hợp: | SOIC-8 |
| Cực tính của bóng bán dẫn: | kênh N |
| Số kênh: | 2 kênh |
| Vds - Điện áp sự cố nguồn xả: | 60 V |
| Id - Dòng xả liên tục: | 16 A |
| Rds Bật - Điện trở nguồn thoát nước: | 15 mOhms |
| Vgs - Điện áp cổng nguồn: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Điện áp ngưỡng cổng nguồn: | 2.6 V |
| Qg - Phí vào cổng: | 14 nC |
| Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: | - 55 độ C |
| Nhiệt độ hoạt động tối đa: | + 150C |
| Pd - Công suất tiêu tán: | 2.1W |
| Chế độ kênh: | Sự nâng cao |
| Tên thương mại: | NexFET |
| Bao bì: | cuộn |
| Bao bì: | cắt băng |
| Bao bì: | ChuộtReel |
| Thương hiệu: | Dụng cụ Texas |
| Cấu hình: | Hai |
| Giảm thời gian: | 19 giây |
| Chiều cao: | 1,75mm |
| Chiều dài: | 4,9 mm |
| Loại sản phẩm: | MOSFET |
| Thời gian tăng: | 15 giây |
| Loạt: | CSD88537ND |
| Gói nhà máy Số lượng: | 2500 |
| tiểu thể loại: | MOSFET |
| Loại bóng bán dẫn: | 2 kênh N |
| Thời gian trễ tắt điển hình: | 5 giây |
| Thời gian trễ bật điển hình: | 6 giây |
| Chiều rộng: | 3,9mm |
| Đơn vị trọng lượng: | 74 mg |
♠ CSD88537ND MOSFET công suất NexFET™ 60 kênh N kép
MOSFET nguồn NexFET™ kép SO-8, 60 V, 12,5 mΩ này được thiết kế để hoạt động như một nửa cầu nối trong các ứng dụng điều khiển động cơ dòng điện thấp.
• Qg và Qgd cực thấp
• Xếp hạng tuyết lở
• Pb miễn phí
• Tuân thủ RoHS
• Không chứa halogen
• Nửa cầu điều khiển động cơ
• Bộ chuyển đổi Buck đồng bộ
