MOSFET FDC6303N SSOT-6 N-CH 25V

Nhà sản xuất: ON Semiconductor

Danh mục sản phẩm: Bóng bán dẫn – FET, MOSFET – Mảng

Bảng dữliệu:FDC6303N

Mô tả: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

Trạng thái RoHS: Tuân thủ RoHS

Chi tiết sản phẩm

Thuộc tính sản phẩm	Giá trị thuộc tính
Nhà chế tạo:	bán thân
Danh mục sản phẩm:	MOSFET
RoHS:	Chi tiết
Công nghệ:	Si
Phong cách lắp đặt:	SMD/SMT
Gói / Trường hợp:	SSOT-6
Cực tính của bóng bán dẫn:	kênh N
Số kênh:	2 kênh
Vds - Điện áp sự cố nguồn xả:	25 V
Id - Dòng xả liên tục:	680 mã
Rds Bật - Điện trở nguồn thoát nước:	450 mOhms
Vgs - Điện áp cổng nguồn:	- 8 V, + 8 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cổng nguồn:	650mV
Qg - Phí vào cổng:	2,3nC
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu:	- 55 độ C
Nhiệt độ hoạt động tối đa:	+ 150C
Pd - Công suất tiêu tán:	900 mW
Chế độ kênh:	Sự nâng cao
Bao bì:	cuộn
Bao bì:	cắt băng
Bao bì:	ChuộtReel
Thương hiệu:	onsemi / Fairchild
Cấu hình:	Hai
Giảm thời gian:	8,5 giây
Độ dẫn chuyển tiếp - Tối thiểu:	0,145 S
Chiều cao:	1,1mm
Chiều dài:	2,9mm
Sản phẩm:	MOSFET tín hiệu nhỏ
Loại sản phẩm:	MOSFET
Thời gian tăng:	8,5 giây
Loạt:	FDC6303N
Gói nhà máy Số lượng:	3000
tiểu thể loại:	MOSFET
Loại bóng bán dẫn:	2 kênh N
Kiểu:	FET
Thời gian trễ tắt điển hình:	17 giây
Thời gian trễ bật điển hình:	3 ns
Chiều rộng:	1,6mm
Phần # Bí danh:	FDC6303N_NL
Đơn vị trọng lượng:	0,001270 oz