IPD50N04S4-10 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ Mô tả sản phẩm
| Thuộc tính sản phẩm | Giá trị thuộc tính |
| Nhà chế tạo: | Infineon |
| Danh mục sản phẩm: | MOSFET |
| RoHS: | Chi tiết |
| Công nghệ: | Si |
| Phong cách lắp đặt: | SMD/SMT |
| Gói / Trường hợp: | TO-252-3 |
| Cực tính của bóng bán dẫn: | kênh N |
| Số kênh: | 1 kênh |
| Vds - Điện áp sự cố nguồn xả: | 40 V |
| Id - Dòng xả liên tục: | 50 A |
| Rds Bật - Điện trở nguồn thoát nước: | 9,3 mOhm |
| Vgs - Điện áp cổng nguồn: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Điện áp ngưỡng cổng nguồn: | 3 V |
| Qg - Phí vào cổng: | 18,2 nC |
| Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: | - 55 độ C |
| Nhiệt độ hoạt động tối đa: | + 175 độ C |
| Pd - Công suất tiêu tán: | 41 W |
| Chế độ kênh: | Sự nâng cao |
| Trình độ chuyên môn: | AEC-Q101 |
| Tên thương mại: | OptiMOS |
| Bao bì: | cuộn |
| Bao bì: | cắt băng |
| Thương hiệu: | Công nghệ Infineon |
| Cấu hình: | Đơn |
| Giảm thời gian: | 5 giây |
| Chiều cao: | 2,3mm |
| Chiều dài: | 6,5mm |
| Loại sản phẩm: | MOSFET |
| Thời gian tăng: | 7 ns |
| Loạt: | OptiMOS-T2 |
| Gói nhà máy Số lượng: | 2500 |
| tiểu thể loại: | MOSFET |
| Loại bóng bán dẫn: | 1 kênh N |
| Thời gian trễ tắt điển hình: | 4 giây |
| Thời gian trễ bật điển hình: | 5 giây |
| Chiều rộng: | 6,22mm |
| Phần # Bí danh: | IPD5N4S41XT SP000711466 IPD50N04S410ATMA1 |
| Đơn vị trọng lượng: | 330mg |
• Kênh N – Chế độ nâng cao
• Đạt tiêu chuẩn AEC
• MSL1 lên đến 260°C đỉnh nóng chảy lại
• Nhiệt độ hoạt động 175°C
• Sản phẩm xanh (tuân thủ RoHS)
• Đã kiểm tra 100% Avalanche
