LCMXO2-2000HC-4BG256C FPGA – Mảng cổng có thể lập trình trường 2112 LUT 207 IO 3.3V 4 Spd
♠ Mô tả sản phẩm
| Thuộc tính sản phẩm | Giá trị thuộc tính |
| Nhà chế tạo: | mạng tinh thể |
| Danh mục sản phẩm: | FPGA - Mảng cổng lập trình trường |
| RoHS: | Chi tiết |
| Loạt: | LCMXO2 |
| Số phần tử logic: | 2112 LÊ |
| Số I/O: | 206 vào/ra |
| Điện áp cung cấp - Tối thiểu: | 2.375V |
| Điện áp cung cấp - Tối đa: | 3,6 V |
| Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: | 0 độ C |
| Nhiệt độ hoạt động tối đa: | + 85 độ C |
| Tốc độ dữ liệu: | - |
| Số lượng máy thu phát: | - |
| Phong cách lắp đặt: | SMD/SMT |
| Gói / Trường hợp: | CABGA-256 |
| Bao bì: | Cái mâm |
| Thương hiệu: | mạng tinh thể |
| RAM phân tán: | 16 kbit |
| RAM khối nhúng - EBR: | 74 kbit |
| Tần suất hoạt động tối đa: | 269 MHz |
| Nhạy cảm với độ ẩm: | Đúng |
| Số khối mảng logic - LAB: | PHÒNG THÍ NGHIỆM 264 |
| Nguồn cung cấp hiện tại: | 4,8mA |
| Điện áp cung cấp hoạt động: | 2,5V/3,3V |
| Loại sản phẩm: | FPGA - Mảng cổng lập trình trường |
| Gói nhà máy Số lượng: | 119 |
| tiểu thể loại: | IC logic lập trình được |
| Tổng bộ nhớ: | 170 kbit |
| Tên thương mại: | máyXO2 |
| Đơn vị trọng lượng: | 0,429319 oz |
1. Kiến trúc logic linh hoạt
• Sáu thiết bị có 256 đến 6864 LUT4 và 18 đến 334 I/O Thiết bị tiêu thụ điện năng cực thấp
• Quy trình công suất thấp 65 nm tiên tiến
• Công suất dự phòng thấp tới 22 µW
• I/O vi sai dao động thấp có thể lập trình
• Chế độ chờ và các tùy chọn tiết kiệm năng lượng khác 2. Bộ nhớ nhúng và bộ nhớ phân tán
• RAM khối nhúng sysMEM™ lên đến 240 kbit
• Lên đến 54 kbit RAM phân tán
• Logic điều khiển FIFO chuyên dụng
3. Bộ nhớ Flash người dùng trên chip
• Bộ nhớ Flash Người dùng lên đến 256 kbit
• 100.000 chu kỳ ghi
• Có thể truy cập thông qua các giao diện WISHBONE, SPI, I2 C và JTAG
• Có thể được sử dụng như PROM bộ xử lý mềm hoặc bộ nhớ Flash
4. I/O đồng bộ nguồn tiền chế
• Các thanh ghi DDR trong các ô I/O
• Logic bánh răng chuyên dụng
• Chuẩn bị 7:1 cho I/O Hiển thị
• DDR chung, DDRX2, DDRX4
• Bộ nhớ DDR/DDR2/LPDDR chuyên dụng có hỗ trợ DQS
5. Hiệu suất cao, bộ đệm I/O linh hoạt
• Bộ đệm sysIO™ có thể lập trình hỗ trợ nhiều loại giao diện:
– LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
– LVTTL
– PCI
– LVDS, Bus-LVDS, MLVDS, RSDS, LVPECL
– SSTL 25/18
– HSTL 18
– Đầu vào kích hoạt Schmitt, độ trễ lên tới 0,5 V
• I/O hỗ trợ ổ cắm nóng
• Chấm dứt vi sai trên chip
• Chế độ kéo lên hoặc kéo xuống có thể lập trình
6. Đồng hồ trên chip linh hoạt
• Tám đồng hồ chính
• Lên đến hai đồng hồ cạnh cho giao diện I/O tốc độ cao (chỉ ở cạnh trên và cạnh dưới)
• Lên đến hai PLL tương tự trên mỗi thiết bị với tổng hợp tần số phân đoạn-n
– Dải tần đầu vào rộng (7 MHz đến 400 MHz)
7. Không bay hơi, có thể cấu hình lại vô hạn
• Bật tức thì
- tăng sức mạnh trong micro giây
• Giải pháp bảo mật, chip đơn
• Có thể lập trình thông qua JTAG, SPI hoặc I2 C
• Hỗ trợ lập trình nền non-vola
bộ nhớ 8.tile
• Tùy chọn khởi động kép với bộ nhớ SPI bên ngoài
9. Cấu hình lại TransFR™
• Cập nhật logic tại hiện trường trong khi hệ thống vận hành
10. Hỗ trợ cấp hệ thống nâng cao
• Các chức năng cố định trên chip: SPI, I2 C, bộ định thời/bộ đếm
• Bộ tạo dao động trên chip với độ chính xác 5,5%
• TraceID duy nhất để theo dõi hệ thống
• Chế độ lập trình một lần (OTP)
• Nguồn điện đơn với phạm vi hoạt động mở rộng
• Quét ranh giới chuẩn IEEE 1149.1
• Lập trình trong hệ thống tuân thủ IEEE 1532
11. Nhiều gói tùy chọn
• Tùy chọn gói TQFP, WLCSP, ucBGA, csBGA, caBGA, ftBGA, fpBGA, QFN
• Tùy chọn gói dấu chân nhỏ
– Nhỏ đến 2,5 mm x 2,5 mm
• Hỗ trợ di chuyển mật độ
• Bao bì tiên tiến không chứa halogen
