NTJD4001NT1G MOSFET 30V 250mA Kênh đôi N
♠ Mô tả sản phẩm
| Thuộc tính sản phẩm | Giá trị thuộc tính |
| Nhà chế tạo: | bán thân |
| Danh mục sản phẩm: | MOSFET |
| RoHS: | Chi tiết |
| Công nghệ: | Si |
| Phong cách lắp đặt: | SMD/SMT |
| Gói / Trường hợp: | SC-88-6 |
| Cực tính của bóng bán dẫn: | kênh N |
| Số kênh: | 2 kênh |
| Vds - Điện áp sự cố nguồn xả: | 30 V |
| Id - Dòng xả liên tục: | 250 mã |
| Rds Bật - Điện trở nguồn thoát nước: | 1,5 Ôm |
| Vgs - Điện áp cổng nguồn: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Điện áp ngưỡng cổng nguồn: | 800mV |
| Qg - Phí vào cổng: | 900 pC |
| Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: | - 55 độ C |
| Nhiệt độ hoạt động tối đa: | + 150C |
| Pd - Công suất tiêu tán: | 272 mW |
| Chế độ kênh: | Sự nâng cao |
| Bao bì: | cuộn |
| Bao bì: | cắt băng |
| Bao bì: | ChuộtReel |
| Thương hiệu: | bán thân |
| Cấu hình: | Hai |
| Giảm thời gian: | 82 giây |
| Độ dẫn chuyển tiếp - Tối thiểu: | 80 mS |
| Chiều cao: | 0,9mm |
| Chiều dài: | 2mm |
| Sản phẩm: | MOSFET tín hiệu nhỏ |
| Loại sản phẩm: | MOSFET |
| Thời gian tăng: | 23 ns |
| Loạt: | NTJD4001N |
| Gói nhà máy Số lượng: | 3000 |
| tiểu thể loại: | MOSFET |
| Loại bóng bán dẫn: | 2 kênh N |
| Thời gian trễ tắt điển hình: | 94 giây |
| Thời gian trễ bật điển hình: | 17 giây |
| Chiều rộng: | 1,25mm |
| Đơn vị trọng lượng: | 0,010229 oz |
• Phí cổng thấp để chuyển mạch nhanh
• Dấu chân nhỏ − Nhỏ hơn 30% so với TSOP−6
• Cổng bảo vệ ESD
• Đạt tiêu chuẩn AEC Q101 − NVTJD4001N
• Các thiết bị này không chứa Pb− và tuân thủ RoHS
• Công tắc tải bên thấp
• Thiết bị sử dụng pin Li−Ion − Điện thoại di động, PDA, DSC
• Bộ chuyển đổi Buck
• Thay đổi cấp độ
