SQM50034EL_GE3 MOSFET N-CHANNEL 60-V (DS) 175C MOSFET
♠ Mô tả sản phẩm
Thuộc tính sản phẩm | Giá trị thuộc tính |
Nhà chế tạo: | Vishay |
Danh mục sản phẩm: | MOSFET |
RoHS: | Chi tiết |
Công nghệ: | Si |
Phong cách lắp đặt: | SMD/SMT |
Gói / Trường hợp: | TO-263-3 |
Cực tính của bóng bán dẫn: | kênh N |
Số kênh: | 1 kênh |
Vds - Điện áp sự cố nguồn xả: | 60 V |
Id - Dòng xả liên tục: | 100 A |
Rds Bật - Điện trở nguồn thoát nước: | 3,2 mOhm |
Vgs - Điện áp cổng nguồn: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Điện áp ngưỡng cổng nguồn: | 2 V |
Qg - Phí vào cổng: | 60 nC |
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: | - 55 độ C |
Nhiệt độ hoạt động tối đa: | + 175 độ C |
Pd - Công suất tiêu tán: | 150W |
Chế độ kênh: | Sự nâng cao |
Tên thương mại: | RãnhFET |
Thương hiệu: | Vishay / Siliconix |
Cấu hình: | Đơn |
Giảm thời gian: | 7 ns |
Loại sản phẩm: | MOSFET |
Thời gian tăng: | 7 ns |
Loạt: | SQ |
Gói nhà máy Số lượng: | 800 |
tiểu thể loại: | MOSFET |
Thời gian trễ tắt điển hình: | 33 ns |
Thời gian trễ bật điển hình: | 15 giây |
Đơn vị trọng lượng: | 0,139332 oz |
• MOSFET công suất TrenchFET®
• Gói có khả năng chịu nhiệt thấp
• Đã kiểm tra 100 % Rg và UIS
• Đạt tiêu chuẩn AEC-Q101