VNB35N07TR-E IC Công Tắc Nguồn – Phân Phối Nguồn OMNIFETII HOÀN TOÀN TỰ ĐỘNG BẢO VỆ Pwr MOSFET
♠ Mô tả sản phẩm
| Thuộc tính sản phẩm | Giá trị thuộc tính |
| Nhà chế tạo: | STMicro điện tử |
| Danh mục sản phẩm: | IC Công Tắc Nguồn - Phân Phối Nguồn |
| Kiểu: | Mặt thấp |
| Số đầu ra: | 1 đầu ra |
| Giới hạn hiện tại: | 35 A |
| Về mức kháng cự - Tối đa: | 28 mOhms |
| Đúng giờ - Tối đa: | 200 giây |
| Thời gian Tắt - Tối đa: | 1 chúng tôi |
| Điện áp cung cấp hoạt động: | 28 V |
| Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: | - 40 độ C |
| Nhiệt độ hoạt động tối đa: | + 150C |
| Phong cách lắp đặt: | SMD/SMT |
| Gói / Trường hợp: | D2PAK-3 |
| Loạt: | VNB35N07-E |
| Trình độ chuyên môn: | AEC-Q100 |
| Bao bì: | cuộn |
| Bao bì: | cắt băng |
| Bao bì: | ChuộtReel |
| Thương hiệu: | STMicro điện tử |
| Nhạy cảm với độ ẩm: | Đúng |
| Pd - Công suất tiêu tán: | 125000 mW |
| Loại sản phẩm: | IC Công Tắc Nguồn - Phân Phối Nguồn |
| Gói nhà máy Số lượng: | 1000 |
| tiểu thể loại: | IC công tắc |
| Đơn vị trọng lượng: | 0,079014 oz |
♠ OMNIFET: MOSFET điện được bảo vệ hoàn toàn tự động
VNP35N07-E, VNB35N07-E và VNV35N07-E là các thiết bị nguyên khối được sản xuất bằng công nghệ VIPower® của STMicroelectronics, nhằm mục đích thay thế các Power MOSFET tiêu chuẩn trong các ứng dụng DC đến 50 KHz.
Tích hợp ngắt nhiệt, giới hạn dòng điện tuyến tính và kẹp quá áp bảo vệ chip trong môi trường khắc nghiệt.
Phản hồi lỗi có thể được phát hiện bằng cách theo dõi điện áp ở chân đầu vào.
• Đủ tiêu chuẩn ô tô
• Giới hạn dòng điện tuyến tính
• Tắt nhiệt
• Bảo vệ ngắn mạch
• Kẹp tích hợp
• Dòng điện thấp rút ra từ chân đầu vào
• Phản hồi chẩn đoán thông qua chân đầu vào
• Bảo vệ ESD
• Truy cập trực tiếp vào cổng của Power MOSFET (điều khiển tương tự)
• Tương thích với MOSFET công suất tiêu chuẩn
• Gói tiêu chuẩn TO-220
• Tuân thủ chỉ thị Châu Âu 2002/95/EC
