W9864G6KH-6 DRAM 64Mb, SDR SDRAM, x16, 166MHz, 46nm
♠ Mô tả sản phẩm
| Thuộc tính sản phẩm | Giá trị thuộc tính |
| Nhà chế tạo: | trái phiếu |
| Danh mục sản phẩm: | DRAM |
| RoHS: | Chi tiết |
| Kiểu: | SDRAM |
| Phong cách lắp đặt: | SMD/SMT |
| Gói / Trường hợp: | TSOP-54 |
| Chiều rộng bus dữ liệu: | 16 bit |
| Tổ chức: | 4 triệu x 16 |
| Kích thước bộ nhớ: | 64 MB |
| Tần số xung nhịp tối đa: | 166 MHz |
| Thời gian truy cập: | 6 giây |
| Điện áp cung cấp - Tối đa: | 3,6 V |
| Điện áp cung cấp - Tối thiểu: | 3 V |
| Cung cấp hiện tại - Tối đa: | 50mA |
| Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: | 0 độ C |
| Nhiệt độ hoạt động tối đa: | + 70C |
| Loạt: | W9864G6KH |
| Thương hiệu: | trái phiếu |
| Nhạy cảm với độ ẩm: | Đúng |
| Loại sản phẩm: | DRAM |
| Gói nhà máy Số lượng: | 540 |
| tiểu thể loại: | Bộ nhớ & Lưu trữ dữ liệu |
| Đơn vị trọng lượng: | 9,175 gam |
♠ 1M ✖ 4 NGÂN HÀNG ✖ 16 BITS SDRAM
W9864G6KH là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (SDRAM) đồng bộ tốc độ cao, được tổ chức dưới dạng 1M từ 4 ngân hàng 16 bit.W9864G6KH cung cấp băng thông dữ liệu lên tới 200M từ mỗi giây.Đối với các ứng dụng khác nhau, W9864G6KH được sắp xếp thành các cấp tốc độ sau: -5, -6, -6I và -7.Các bộ phận cấp -5 có thể chạy tới 200MHz/CL3.Các bộ phận cấp -6 và -6I có thể chạy tới 166MHz/CL3 (loại công nghiệp -6I được đảm bảo hỗ trợ -40°C ~ 85°C).Các bộ phận cấp -7 có thể chạy tới 143MHz/CL3 và với tRP = 18nS.
Truy cập vào SDRAM được định hướng liên tục.Vị trí bộ nhớ liên tiếp trong một trang có thể được truy cập ở độ dài cụm 1, 2, 4, 8 hoặc toàn bộ trang khi một dãy và hàng được chọn bằng lệnh ACTIVE.Địa chỉ cột được tạo tự động bởi bộ đếm nội bộ SDRAM trong hoạt động liên tục.Cũng có thể đọc cột ngẫu nhiên bằng cách cung cấp địa chỉ của nó ở mỗi chu kỳ đồng hồ.
Bản chất nhiều ngân hàng cho phép xen kẽ giữa các ngân hàng nội bộ để ẩn thời gian sạc trước. Bằng cách có Thanh ghi chế độ có thể lập trình, hệ thống có thể thay đổi thời lượng cụm, chu kỳ trễ, cụm xen kẽ hoặc tuần tự để tối đa hóa hiệu suất của nó.W9864G6KH lý tưởng cho bộ nhớ chính trong các ứng dụng hiệu năng cao.
• 3,3V ± 0,3V đối với cấp nguồn cấp tốc độ -5, -6 và -6I
• 2.7V~3.6V cho cấp nguồn cấp tốc độ -7
• Tần số xung nhịp lên tới 200 MHz
• 1.048.576 từ
• 4 ngân hàng
• Tổ chức 16 bit
• Dòng điện tự làm mới: Tiêu chuẩn và Công suất thấp
• Độ trễ CAS: 2 và 3
• Độ dài Burst: 1, 2, 4, 8 và toàn trang
• Bùng nổ tuần tự và xen kẽ
• Byte dữ liệu được kiểm soát bởi LDQM, UDQM
• Sạc trước tự động và Sạc trước có kiểm soát
• Chế độ Burst Read, Single Write
• Chu kỳ làm mới 4K/64 mS
• Giao diện: LVTTL
• Được đóng gói trong TSOP II 54 chân, 400 triệu sử dụng vật liệu không chì tuân thủ RoHS
